Генсека ООН поразили масштабы таяния ледников на Памире

© AFP 2021 / KADAM MASKAYEVСарезское озеро в горах Памира, архивное фото
Сарезское озеро в горах Памира, архивное фото - Sputnik Таджикистан
Подписаться на
Генсек ООН Антониу Гутерриш подчеркнул, что за последние годы 30% ледников Таджикистана исчезли из-за изменения климата

ДУШАНБЕ, 13 июн — Sputnik. Генеральный секретарь ООН Антониу Гутерриш выразил обеспокоенность быстрым таянием ледников в горах Таджикистана.

В ходе визита в Таджикистан генсек ООН побывал на берегу Сарезского озера, а также совершил полет над горами Памира.

"Глава ООН поражен масштабами таяния ледников Памира", — именно с таким заголовком появилась новость на сайте Центра новостей ООН.

В связи с этим Антониу Гутерриш призвал мировую общественность усилить борьбу с изменением климата, подчеркнув, что человечество не имеет права терять время в данной ситуации.

Генеральный секретарь ООН Пан Ги Мун, архивное фото - Sputnik Таджикистан
Генсек ООН поздравил Эмомали Рахмона с наступлением водного десятилетия

"По оценкам, около 30% ледников Таджикистана исчезли из-за изменения климата", — говорится в материале.

Напомним, что генсек ООН завершает свою поездку по странам Центральной Азии. Антониу Гутерриш посетил Казахстан, Кыргызстан, Узбекистан и Таджикистан, куда он прибыл 12 июня.

В Душанбе генсек ООН провел встречу с президентом Таджикистана Эмомали Рахмоном. Рахмон и Гутерриш обсудили вопросы сотрудничества в реализации Национальной стратегии Таджикистана до 2030 года, а также водную инициативу Таджикистана.

Пустыня на месте Аральского моря, архивное фото - Sputnik Таджикистан
Кладбище кораблей: генсек ООН в шоке после посещения Аральского моря
После РТ Генеральный секретарь ООН Антониу Гутерриш отправился в Туркменистан, где примет участие в диалоге по реализации Глобальной стратегии ООН по борьбе с терроризмом.

Во время визита в Узбекистан Гутерриш обратил внимание на то, как сильно высохло Аральское море.

Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
В ЭФИРЕ
Заголовок открываемого материала